当社は、日立馬場記念ホール（東京都国分寺市）で、2026年7月13日〜17日に開催される第39回国際真空ナノエレクトロニクス会議（IVNC2026）において、招待講演およびポスター発表を行います。

招待講演では、半導体デバイスの検査・計測におけるGaN半導体フォトカソード電子ビーム技術に基づく当社独自のソリューションについて、そのコンセプトと実際のアプリケーションを中心に講演します。
また、ポスター発表では、これらソリューションの実際の検査・計測現場での実用性を裏付ける「GaN半導体フォトカソードの堅牢性・寿命」について紹介します。

■ 国際会議概要
•名称：第39回国際真空ナノエレクトロニクス会議（IVNC2026）
•開催期間：2026年7月13日 〜 17日
•開催場所：日立馬場記念ホール（東京都国分寺市）

■ 招待講演内容
•日時：2026年7月14日（火） 9:55～10:20
•タイトル：GaN Photocathode-Based Photoelectron Beam for Semiconductor Metrology and Inspection: Concepts and Applications
•講演者：西谷智博（株式会社Photo electron Soul）

■ ポスター発表内容
•日時：2026年7月14日（火） 17:00～19:00
•タイトル：Robustness and Lifetime Performance of NEA-InGaN Photocathodes at Practical Current Densities for SEM Applications
•発表者：小泉淳（株式会社Photo electron Soul）