査読論文

Quantum efficiency characteristics of low-threading-dislocation-density InGaN photocathode grown on GaN substrate Mikiya Idei, Daiki Sato, Atsushi Koizumi, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, Hiroshi Amano J. Vac. Sci. Technol. B 43, 032202 (2025), https://doi.org/10.1116/6.0004199
Investigation on Applying an InGaN Photocathode with Negative Electron Affinity for Electric Propulsion Yusuke INOUE, Tomohiro NISHITANI, Anna HONDA, Daiki SATO, Haruka SHIKANO, Atsushi KOIZUMI, Yoshio HONDA, Daisuke ICHIHARA, Akihiro SASOH Trans. Japan Soc. Aero. Space Sci. Vol. 66, No. 1, pp. 10–13, 2023
Scanning electron microscope imaging by selective e-beaming using photoelectron beams from semiconductor photocathodes Tomohiro Nishitani, Yuta Arakawa, Shotaro Noda, Atsushi Koizumi, Daiki Sato, Haruka Shikano, Hokuto Iijima, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano Journal of Vacuum Science & Technology B 40, 064203 (2022)
Time response measurement of pulsed electron beam from InGaN photocathode Daiki Sato, Haruka Shikano, Atsushi Koizumi, and Tomohiro Nishitani Journal of Vacuum Science & Technology B 40, 064204 (2022)
Dependence of electron emission current density on excitation power density from Cs/O-activated negative electron affinity InGaN photocathode Atsushi Koizumi, Daiki Sato, Haruka Shikano, Hokuto Iijima, and Tomohiro Nishitani Journal of Vacuum Science & Technology B 40, 062202 (2022)
Multiple electron beam generation from InGaN photocathode M. Kashima, S. Ishiyama, D. Sato, A. Koizumi, H. Iijima, T. Nishitani, Y. Honda, H. Amano, and T. Meguro Appl. Phys. Lett. 121, 181601 (2022); https://doi.org/10.1063/5.0125344
Multiple electron beam generation from InGaN photocathode Daiki Sato, Haruka Shikano, Atsushi Koizumi, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano Journal of Vacuum Science & Technology B 39, 062209 (2021); doi: 10.1116/6.0001272
AlGaAs/GaAs superlattice photocathode grown by molecular beam epitaxy: correspondence between room temperature photoluminescence and quantum efficiency Iori Morita, Fumitaro Ishikawa, Anna Honda, Daiki Sato, Atsushi Koizumi, Tomohiro Nishitani and Masao Tabuchi Japanese Journal of Applied Physics, Volume 60, Number SBBK02 (2021), doi: 10.35848/1347-4065/abd6e0
Development of Pulsed TEM Equipped with Nitride Semiconductor Photocathode for High-Speed Observation and Material Nanofabrication Hidehiro Yasuda, Tomohiro Nishitani, Shuhei Ichikawa, Shuhei Hatanaka, Yoshio Honda and Hiroshi Amano Quantum Beam Science, 5(1), 5 (2021). https://doi.org/10.3390/qubs5010005
Recovery of quantum efficiency on Cs/O-activated GaN and GaAs photocathodes by thermal annealing in vacuum Daiki Sato, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano Journal of Vacuum Science & Technology B 38, 012603 (2020); doi: 10.1116/1.5120417
Optimization of InGaN thickness for high-quantum-efficiency Cs/O activated InGaN photocathode Daiki Sato, Anna Honda, Atsushi Koizumi, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, Hiroshi Amano Microelectronic Engineering 223 (2020) 111229; doi: 10.1016/j.mee.2020.111229
Analysis of negative electron affinity InGaN photocathode by temperature-programed desorption method Masahiro Kashima, Daiki Sato, Atsushi Koizumi, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Hokuto Iijima, and Takashi Meguro Journal of Vacuum Science & Technology B 36, 06JK02 (2018); doi: 10.1116/1.5048061
半導体フォトカソードの産業技術への展開を目指した研究開発と事業化, Development of semiconductor photocathode for industrial electron beam technology and its technology commercialization 西谷智博 会誌「放射線化学」第１０３号, pp.21-27 (2017)（ISSN 2188-0115）, Journal of Japanese Society of Radiation Chemistry
Observation of relaxation time of surface charge limit for InGaN NEA photocathodes Daiki Sato, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda and Hiroshi Amano Japanese Journal of Applied Physics, Volume 55, 05FH05 (2016)

基調講演、招待講演

【Keynote speech】Photoelectron Beams from GaN-type Semiconductors Bring Innovations in Semiconductor Inspections ISPlasma2025 / IC-PLANTS2025、2025年3月3日～3月7日、中部大学, 愛知県, 日本 西谷智博
GaN 系半導体からの光電子ビームで半導体製造技術の革新に挑むディープテックスタートアップ ワイドギャップ半導体学会（WideG） 第19 回研究会, 2024 年12 月12 日～13 日, 金沢市 / オンライン（Zoom） 西谷 智博
半導体フォトカソードによるパルス電子ビームを用いた深溝構造のSEM観測 第8回次世代電子実装システム技術講演会、第18回プラズマナノ科学技術国際会議（ISPlasma2025 / IC-PLANTS2025）、2024年 11月 15日、ハイブリッド開催（対面、オンライン） 荒川裕太
Digital Selective e-Beaming技術を用いたHARのトレンチ底のSEM撮像 第18回電子線応用技術研究会・先端計測技術研究会（EBAT・AM）、2024年 5月 27日、オンライン 西谷智博
光電子ビームで微細領域の観測に新たな価値をもたらす GaN系半導体フォトカソード 次世代真空エレクトロニクス研究会第10回定例研究会、2023年11月20日、会場とZoomによるハイブリッド開催 西谷智博
半導体フォトカソードによる選択的電子ビーム照射技術を用いた電子顕微鏡像 応用物理学会次世代リソグラフィ技術研究会(Next Generation Lithography Research Committee)、2022年7月7日～8日、オンライン 西谷智博
GaN半導体フォトカソードからの光電子ビームによるパルス電子顕微鏡, Pulsed electron microscopes using photoelectron beam from GaN semiconductor photocathodes 日本顕微鏡学会 第78回学術講演会シンポジウムセッション S-05 ソフトマテリアルにおける顕微鏡技術の最先端- Advanced Microscopy in Soft Materials-、福島（オンラインとのハイブリッド開催） 西谷智博
Pulsed electron microscopes using photoelectron beam from GaN semiconductor photocathodes OPTICS & PHOTONICS International Congress 2022/LEDIA2022、2022年4月21日、オンライン開催 西谷智博
Selective scanning electron microscope by photo electron beam from GaN semiconductor photocathode 第16回電子線応用技術研究会・先端計測技術研究会（EBAT・AM）、2022年3月16日、オンライン開催 西谷智博
負電子親和力表面の半導体フォトカソードで挑む電子ビーム技術革新 電子デバイス研究会（ED）、2021年12月9日、オンライン開催 西谷智博
GaN半導体による光電子ビームで切り拓く微細観測の未踏領域 JPC関西オンラインセミナー「未来を創造するGaN半導体～社会実装への挑戦～」、2021年9月9日（オンライン開催） 西谷智博
電子ビームイノベーション、学術からスタートアップ起業へのキャリアパス 公益社団法人 日本アイソトープ協会 第58回アイソトープ・放射線研究発表会 若手企画「研究者のキャリアパス」、2021年7月7日（オンライン開催） 西谷智博
高輝度パルス電子源の開発 日本顕微鏡学会関西支部特別講演会、2021年3月5日、尾道商業会議所記念館 2階議場 西谷智博
半導体フォトカソードを用いた電子ビーム技術の応用開発と事業化 公益社団法人 応用物理学会, 次世代リソグラフィ技術研究会、オンライン開催、2021年 1月28日 西谷智博
GaN系半導体フォトカソードを用いた光電子ビームの実用とスタートアップ企業による事業化 一般社団法人ＧａＮコンソーシアム：光を用いた新たな応用展開、2020年12月17日、オンライン開催 西谷智博
半導体フォトカソード電子源を特徴とする電子ビーム検査技術, Innovative inspection technology opened by photo electron beam from III-V semiconductors 応用物理学会2-4回合同極限ナノ造形・構造物性研究会、2020年10月26- 27日、オンライン開催 Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, Masaaki Araidai, Hiroshi Amano, Masao Tabuchi, Akihiro Narita, Hidehiro Yasuda, Fumitaro Ishikawa, Takashi Meguro, Atsushi Koizumi, Daiki Sato, Anna Honda
Electron Beam Technology Innovation by Semiconductor Photocathodes and its Commercialization 第39 回電子材料シンポジウム、オンライン開催、2020年10月7日-10月9日 Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, Masaaki Araidai, Hiroshi Amano, Masao Tabuchi, Akihiro Narita, Hidehiro Yasuda, Fumitaro Ishikawa, Takashi Meguro, Atsushi Koizumi, Daiki Sato, Anna Honda
半導体材料・機能性表面・光励起・ビーム物理の技術融合が実現する電子ビームイノベーション 電子情報通信学会　システムナノ技術に関する特別研究専門委員会(SNT)、第3回研究会「エキゾチックな分野間融合による新たな萌芽へ」2020年1月31日、東京理科大学　森戸記念館 西谷 智博
電子ビームの技術刷新で挑む損傷敏感試料・動態・反応の微細領域観測 第２３８回　有機エレクトロニクス材料研究会「有機半導体、タンパク質の電子状態を動的に捉える」2020年 1月22日、名古屋大学東山キャンパス 西谷 智博
半導体フォトカソードで実現する１ショット電子顕微鏡 イメージング研究会「〜基礎物理から産業応用まで〜」、2019年11月29、30日、名古屋大学 西谷　智博
半導体フォトカソードの研究開発と電子ビーム技術の事業化 第2回 陽電子回折研究会、2018年3月30日、KEKつくばキャンパス 西谷 智博
シングルショット観測をもたらすGaN 半導体フォトカソードによる電子ビーム技術革新 日本電子顕微鏡学会第60回記念シンポジウム　企画セッション　真の構造を求めて：挑戦的顕微鏡研究開発、2017年12月1日〜2日,宮崎, 日本 西谷 智博, 成田 哲博, 冨田 健, 北村 真一, 目黒 多加志, 飯島 北斗, 渕 真悟, 田渕 雅夫, 本田 善央, 天野 浩
Electron Beam Source using Semiconductor Photocathodes for Single-shot Imaging Electron Microscope International Conference on High Energy Density Science 2017 (HEDS2017), April 18-21, 2017, Pacifico Yokohama, Japan Tomohiro Nishitani
半導体フォトカソードが実現する電子ビーム源の技術革新と事業化,Electron beam technology innovation by semiconductor photocathodes and its commercialization 第12回先端表面技術展・表面技術会議 2017年2月15日、東京ビッグサイト、東京都 西谷智博
フォトカソード技術を用いた強力な電子線発生装置の開発 第16回放射線プロセスシンポジウム、2016年11月8日・9日、東京大学弥生キャンパス、東京都 西谷智博
光電子ビームの可能性とその産業応用 早稲田大学高等研究所 Top Runners’ Lecture Collection、2016年7月14日、早稲田大学西早稲田キャンパス、東京都 西谷智博
半導体フォトカソード電子ビーム源による技術革新とその事業化 第142光・量子デバイス技術委員会、2016年1月29日、東京理科大学・PORTA神楽坂 西谷智博
Photocathode electron beam sources using GaN and InGaN with NEA surface Gallium Nitride Materials and Devices X, SPIE. Photonics West 2015, 7-12 February 2015, The Moscone Center, San Francisco, California, United States. T. Nishitani, T. Maekawa, M. Tabuchi, T. Meguro, Y. Honda, H. Amano

学会、国際会議等発表

High-speed modulation of probe current using scanning electron microscope with photocathode technology SPIE Advanced Lithography + Patterning, Metrology, Inspection, and Process Control XXXIX, 23 - 27 February 2025, San Jose, California, United States Tomohiro Nishitani, Yuta Arakawa, Kotaro Niimi, Mitsunobu Yasuda, Daiki Sato, Atsushi Koizumi, Hokuto Iijima, Yoshio Honda and Hiroshi Amano
Photoelectron beam from semiconductor photocathodes leading to new inspection technologies SPIE Advanced Lithography + Patterning, Metrology, Inspection, and Process Control XXXVIII, 26 - 29 February 2024, San Jose, California, United States Tomohiro Nishitani, Yuta Arakawa, Kotaro Niimi, Mitsunobu Yasuda, Daiki Sato, Atsushi Koizumi, Hokuto Iijima, Yoshio Honda and Hiroshi Amano
Local voltage contrast changes in MOSFET using scanning electron microscopy with photoelectron beam technology SPIE Advanced Lithography + Patterning, Metrology, Inspection, and Process Control XXXVIII, 26 - 29 February 2024, San Jose, California, United States Daiki Sato, Yuta Arakawa, Kotaro Niimi, Atsushi Koizumi, Haruka Shikano, Hokuto Iijima, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
SEM imaging of high aspect ratio trench by selectively controlling the electron beam irradiation using photocathode SPIE Advanced Lithography + Patterning, Metrology, Inspection, and Process Control XXXVIII, 26 - 29 February 2024, San Jose, California, United States Yuta Arakawa, Kotaro Niimi, Yohei Otsuka, Daiki Sato, Atsushi Koizumi, Haruka Shikano, Hokuto Iijima, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
Photoelectron beam technology for SEM imaging with pixel-specific control of irradiation beam current SPIE Advanced Lithography + Patterning, 2023, 27th February – 2nd March 2023, San Jose, California, United States Tomohiro Nishitani, Yuta Arakawa, Shotaro Noda, Atsushi Koizumi, Daiki Sato, Haruka Shikano, Hokuto Iijima, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
Novel electron beam technology using InGaN photocathode for high-throughput scanning electron microscope imaging SPIE Advanced Lithography + Patterning, 27th February – 2nd March 2023, San Jose, California, United States Daiki Sato, Atsushi Koizumi, Haruka Shikano, Shotaro Noda, Yohei Otsuka, Daisuke Yasufuku, Kazumasa Mori, Hokuto Iijima, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
Electron Beam Source Innovation: 3rd electron beam source, the photoemission type, is now available. The 65th International Conference on Electron, Ion, and Photon Beam Technology and Nanofabrication (EIPBN 2022). May 31 - June 3, 2022, New Orleans, Louisiana Tomohiro Nishitani
SEM imaging by selective e-beaming using photoelectron beams from semiconductor photocathodes The 65th International Conference on Electron, Ion, and Photon Beam Technology and Nanofabrication (EIPBN 2022). May 31 - June 3, 2022, New Orleans, Louisiana T. Nishitani, Y. Arakawa, S. Noda, A. Koizumi, D. Sato, H. Shikano, H. Iijima, Y. Honda, H. Amano
Pulsed electron beam generation from InGaN photocathode The 65th International Conference on Electron, Ion, and Photon Beam Technology and Nanofabrication (EIPBN 2022). May 31 - June 3, 2022, New Orleans, Louisiana D. Sato, H. Shikano, A. Koizumi, T. Nishitani
Generation of higher than 1000 A/cm2 continuous wave electron beam emission from InGaN photocathode The 65th International Conference on Electron, Ion, and Photon Beam Technology and Nanofabrication (EIPBN 2022). May 31 - June 3, 2022, New Orleans, Louisiana A. Koizumi, D. Sato, H. Shikano, and T. Nishitani
Effect of threading dislocation density on electron emission yield in InGaN photocathode The 65th International Conference on Electron, Ion, and Photon Beam Technology and Nanofabrication (EIPBN 2022). May 31 - June 3, 2022, New Orleans, Louisiana M. Idei, D. Sato, A. Koizumi, T. Nishitani, Y. Honda, H. Amano
電気推進機におけるフォトカソードの有用性の検討 2020年度 宇宙輸送シンポジウム(online)、2021年1月14－15日 井上祐介，西谷智博，鹿野悠，佐藤大樹，本田杏奈，小泉淳，本田善央，市原大輔，佐宗章弘
NEA活性化方法におけるInGaNフォトカソードの電子放出特性の違い, The difference of InGaN photocathode with photoemission characteristic in NEA activation method 2021年第68回応用物理学会春季学術講演会, online, 3月16−19日, 2021 鹿島将央, 佐藤大樹, 小泉淳, 飯島北斗, 西谷智博, 本田善央, 天野浩, 目黒多加志
SEM imaging using photo-electron beam by semiconductor photocathode The 63th International Conference on Electron, Ion, and Photon Beam Technology and Nanofabrication (EIPBN 2019). Minneapolis, Minnesota, May 28 - 31, 2019 Tomohiro Nishitani, Daiki Sato, Haruka Shikano, Tomoaki Kawamata, Atsushi Koizumi, Hokuto Iijima, Masao Tabuchi
Surface Functional Recovery with Anneal Treatment for GaN Photocathode The 63th International Conference on Electron, Ion, and Photon Beam Technology and Nanofabrication (EIPBN 2019). Minneapolis, Minnesota, May 28 - 31, 2019 Daiki Sato, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
Electron Beam Sources using InGaN Semiconductor Photocathodes for Single-shot Imaging Electron Microscope Microscopy and Microanalysis (M&M2017), August 6-8 2017, St. Lois, US Tomohiro Nishitani, Akihiro Narita, Takeshi Tomita, Shin-ichi Kitamura, Takashi Meguro, Hokuto Iijima, Shingo Fuchi, Masao Tabuchi, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
NEA-InGaNレーザーフォトカソードTEMによるパルス像観察 日本顕微鏡学会第74回学術講演会, 2018年5月29日-31日, (久留米シティプラザ, 久留米) 保田英洋, 西谷智博, 平山裕之, 市川修平, 畑中修平, 本田善央, 天野浩
Electron Beam Sources using Semiconductor Photocathodes for Single-shot Imaging Electron Microscope 29th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2016) November 8-11, 2016, Kyoto, Japan Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, Daiki Sato, Masao Tabuchi, Hiroshi Amano
Pulse electron beam from InGaN photocathode with negative electron affinity The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6) will be held on November 8-13, 2015, Hamamatsu, Japan Daiki Sato, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
Pulse electron beam from InGaN photocathode with negative electron affinity The 41st Micro- and Nano Engineering (MNE 2015), 21-24 Sep. 2015, The Haag, The Netherlands Daiki Sato, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda and Hiroshi Amano

プロシーディング等

Photoelectron beam from semiconductor photocathodes leading to new inspection technologies Proceedings Volume 12955, Metrology, Inspection, and Process Control XXXVIII; 1295533 (2024) https://doi.org/10.1117/12.3010730 T. Nishitani, Y. Arakawa, K. Niimi, Y. Otsuka, D. Sato, A. Koizumi, H. Shikano, H. Iijima, Y. Honda, H. Amano
Local voltage contrast changes in MOSFET using scanning electron microscopy with photoelectron beam technology Proceedings Volume 12955, Metrology, Inspection, and Process Control XXXVIII; 1295529 (2024) https://doi.org/10.1117/12.3009947 Daiki Sato, Yuta Arakawa, Kotaro Niimi, Keika Fukuroi, Yutaro Tajiri, Atsushi Koizumi, Haruka Shikano, Hokuto Iijima, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
SEM imaging of high aspect ratio trench by selectively controlling the electron beam irradiation using photocathode Proceedings Volume 12955, Metrology, Inspection, and Process Control XXXVIII; 1295534 (2024) Yuta Arakawa, Kotaro Niimi, Yohei Otsuka, Daiki Sato, Atsushi Koizumi, Haruka Shikano, Hokuto Iijima, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
Photoelectron beam technology for SEM imaging with pixel-specific control of irradiation beam current Proceedings Volume 12496, Metrology, Inspection, and Process Control XXXVII; 124962N (2023): https://doi.org/10.1117/12.2657853 T. Nishitani, Y. Arakawa, S. Noda, A. Koizumi, D. Sato, H. Shikano, H. Iijima, Y. Honda, H. Amano
Novel electron beam technology using InGaN photocathode for high-throughput scanning electron microscope imaging Proc. SPIE 12496, Metrology, Inspection, and Process Control XXXVII, 1249629-1-8 (27 April 2023); doi: 10.1117/12.2657032 Daiki Sato, Atsushi Koizumi, Haruka Shikano, Shotaro Noda, Yohei Otsuka, Daisuke Yasufuku, Kazumasa Mori, Hokuto Iijima, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
Photocathode electron beam sources using GaN and InGaN with NEA surface Proc. SPIE 9363, Gallium Nitride Materials and Devices X, 93630T-1-8, (13 March 2015); doi: 10.1117/12.2076681 T. Nishitani, T. Maekawa, M. Tabuchi, T. Meguro, Y. Honda, H. Amano

書籍、誌上総説

検査技術の最前線とオペランド分析への展開: 半導体フォトカソードからの光電子ビームを用いた微細領域における非接触な電気的検査技術 エレクトロニクス実装学会誌, 2023 年 26 巻 5 号 p. 460-466, https://doi.org/10.5104/jiep.26.460 西谷 智博
応物系スタートアップ, 半導体からの光電子ビームで革新を. 用途広がるナノの世界に照準 応用物理, 2023 年 92 巻 9 号 p. 560-564, DOI https://doi.org/10.11470/oubutsu.92.9_560 西谷 智博
加速器用スピン偏極電子源から産業技術に貢献する半導体フォトカソード 原子核研究 特集号「日本のスピン物理学の展望」, Genshikaku Kenkyu, Vol. 66, pp. 31-43 (2021) 西谷智博
EB技術を利用した材料創製と応用展開 EB Irradiation Technology for Material Creation and its Application
第8章　多彩な電子ビームを発生する半導体フォトカソード電子銃の開発 出版社: シーエムシー　監修： 鷲尾方一、前川康成、pp. 75-87　発行日： 2016年7月25日 体裁： B5判、248ページ　ISBNコード： 978-4-7813-1172-2　価格（税込）： 71,280 円 西谷智博（共著）
-総説- 電子ビーム源GaAs半導体型フォトカソードの開発 MRS-J NEWS, Vol. 20, No. 2, pp. 4-6 (2008) 西谷智博