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会誌「放射線化学」第１０３号, pp.21-27 (2017)（ISSN 2188-0115）, Journal of Japanese Society of Radiation Chemistry
Observation of relaxation time of surface charge limit for InGaN NEA photocathodes
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第8章 多彩な電子ビームを発生する半導体フォトカソード電子銃の開発 出版社: シーエムシー 監修： 鷲尾方一、前川康成、pp. 75-87 発行日： 2016年7月25日 体裁： B5判、248ページ ISBNコード： 978-4-7813-1172-2 価格（税込）： 71,280 円 西谷智博（共著）
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(2) -総説- 電子ビーム源GaAs半導体型フォトカソードの開発
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西谷智博