関連論文

Photoelectron beam from semiconductor photocathodes leading to new inspection technologies. T. Nishitani, Y. Arakawa, K. Niimi, Y. Otsuka, D. Sato, A. Koizumi, H. Shikano, H. Iijima,Y. Honda, H. Amano Proc. of SPIE Vol. 12955 1295533-1~1295533-10(2024)
SEM imaging of high aspect ratio trench by selectively controlling the electron beam irradiation using photocathode Yuta Arakawa, Kotaro Niimi, Yohei Otsuka, Daiki Sato, Atsushi Koizumi, Haruka Shikano,Hokuto Iijima, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, Hiroshi Amano Proc. of SPIE Vol. 12955 1295534-1~1295534-8(2024)
Local voltage contrast changes in MOSFET using scanning electron microscopy with photoelectron beam technology Daiki Sato, Yuta Arakawa, Kotaro Niimi, Keika Fukuroi, Yutaro Tajiri, Atsushi Koizumi,Haruka Shikano, Hokuto Iijima, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, Hiroshi Amano Proc. of SPIE Vol. 12955 1295529-1~1295529-9(2024)
Photoelectron beam technology for SEM imaging with pixel-specific control of irradiation beam current T. Nishitani, Y. Arakawa, S. Noda, A. Koizumi, D. Sato, H. Shikano, H. Iijima, Y. Hondab,H. Amano Proc. of SPIE Vol. 12496 124962N-1~124962N-8(2023)
Novel Electron Beam Technology using InGaN Photocathode for High-Throughput Scanning Electron Microscope Imaging Daiki Sato, Atsushi Koizumi, Haruka Shikano, Shotaro Noda, Yohei Otsuka, Daisuke Yasufuku, Kazumasa Mori, Hokuto Iijima, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, Hiroshi Amano Proc. of SPIE Vol. 12496 1249629-1~1249629-8(2023)
Investigation on Applying an InGaN Photocathode with Negative Electron Affinity for Electric Propulsion Yusuke INOUE, Tomohiro NISHITANI, Anna HONDA, Daiki SATO, Haruka SHIKANO, Atsushi KOIZUMI, Yoshio HONDA, Daisuke ICHIHARA, Akihiro SASOH Trans. Japan Soc. Aero. Space Sci. Vol. 66, No. 1, pp. 10–13, 2023
Scanning electron microscope imaging by selective e-beaming using photoelectron beams from semiconductor photocathodes Tomohiro Nishitani, Yuta Arakawa, Shotaro Noda, Atsushi Koizumi, Daiki Sato, Haruka Shikano, Hokuto Iijima, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano Journal of Vacuum Science & Technology B 40, 064203 (2022)
Time response measurement of pulsed electron beam from InGaN photocathode Daiki Sato, Haruka Shikano, Atsushi Koizumi, and Tomohiro Nishitani Journal of Vacuum Science & Technology B 40, 064204 (2022)
Dependence of electron emission current density on excitation power density from Cs/O-activated negative electron affinity InGaN photocathode Atsushi Koizumi, Daiki Sato, Haruka Shikano, Hokuto Iijima, and Tomohiro Nishitani Journal of Vacuum Science & Technology B 40, 062202 (2022)
Multiple electron beam generation from InGaN photocathode Daiki Sato, Haruka Shikano, Atsushi Koizumi, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano Journal of Vacuum Science & Technology B 39, 062209 (2021); doi: 10.1116/6.0001272
Recovery of quantum efficiency on Cs/O-activated GaN and GaAs photocathodes by thermal annealing in vacuum Daiki Sato, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano Journal of Vacuum Science & Technology B 38, 012603 (2020); doi: 10.1116/1.5120417
Optimization of InGaN thickness for high-quantum-efficiency Cs/O activated InGaN photocathode Daiki Sato, Anna Honda, Atsushi Koizumi, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, Hiroshi Amano Microelectronic Engineering 223 (2020) 111229; doi: 10.1016/j.mee.2020.111229
半導体フォトカソードの産業技術への展開を目指した研究開発と事業化, Development of semiconductor photocathode for industrial electron beam technology and its technology commercialization 西谷智博 会誌「放射線化学」第１０３号, pp.21-27 (2017)（ISSN 2188-0115）, Journal of Japanese Society of Radiation Chemistry
Observation of relaxation time of surface charge limit for InGaN NEA photocathodes Daiki Sato, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda and Hiroshi Amano Japanese Journal of Applied Physics, Volume 55, 05FH05 (2016)

学会・国際会議等発表・招待講演

Photoelectron Beams from GaN-type Semiconductors Bring Innovations in Semiconductor Inspections ISPlasma2025 / IC-PLANTS2025、2025年3月3日～3月7日、中部大学, 愛知県, 日本 西谷智博
High-speed modulation of probe current using scanning electron microscope with photocathode technology SPIE Advanced Lithography + Patterning、2025年2月23日～2月27日、サンノゼ, カリフォルニア州, 米国 Tomohiro Nishitani,Daiki Sato
半導体フォトカソードによるパルス電子ビームを用いた深溝構造のSEM観測 第8回次世代電子実装システム技術講演会、第18回プラズマナノ科学技術国際会議（ISPlasma2025 / IC-PLANTS2025）、2024年 11月 15日、ハイブリッド開催（対面、オンライン） 荒川裕太
Digital Selective e-Beaming技術を用いたHARのトレンチ底のSEM撮像 第18回電子線応用技術研究会・先端計測技術研究会（EBAT・AM）、2024年 5月 27日、オンライン 西谷智博
Photoelectron beam from semiconductor photocathodes leading to newinspection technologies他2件 SPIE Advanced Lithography + Patterning 2024、2024年2月26日～2月29日、サンノゼ, カリフォルニア州, 米国 Tomohiro Nishitani,Daiki Sato
光電子ビームで微細領域の観測に新たな価値をもたらす GaN系半導体フォトカソード 次世代真空エレクトロニクス研究会第10回定例研究会、2023年11月20日、会場とZoomによるハイブリッド開催 西谷智博
GaN半導体による光電子ビームデバイス × ディープテックスタートアップ 一般社団法人ＧａＮコンソーシアム、2023年9月6日、Zoomによるオンライン開催 西谷智博
Photoelectron beam technology for SEM imaging with pixel-specific control of irradiation beam current他1件 SPIE Advanced Lithography + Patterning、2023年2月26日～3月2日、カリフォルニア, 米国 Tomohiro Nishitani,Daiki Sato
半導体フォトカソードによる選択的電子ビーム照射技術を用いた電子顕微鏡像 応用物理学会次世代リソグラフィ技術研究会(Next Generation Lithography Research Committee)、2022年7月7日～8日、オンライン 西谷智博
Generation of higher than 1000 A/cm2 continuous wave electron beam emission from InGaN photocathode他3件 OPTICS & PHOTONICS International Congress 2022/LEDIA2022、2022年5月31日～6月3日、ニューオリンズ, 米国 A. Koizumi, D. Sato, H. Shikano, T.Nishitani
Pulsed electron microscopes using photoelectron beam from GaN semiconductor photocathodes OPTICS & PHOTONICS International Congress 2022/LEDIA2022、2022年4月21日、オンライン開催 西谷智博
Selective scanning electron microscope by photo electron beam from GaN semiconductor photocathode 第16回電子線応用技術研究会・先端計測技術研究会（EBAT・AM）、2022年3月16日、オンライン開催 西谷智博
負電子親和力表面の半導体フォトカソードで挑む電子ビーム技術革新 電子デバイス研究会（ED）、2021年12月9日、オンライン開催 西谷智博
Multiple Electron-Beam Generation from InGaN Photocathode EIPBN2021,June1-4,2021,Online Daiki Sato
高輝度パルス電子源の開発 日本顕微鏡学会関西支部特別講演会、2021年3月5日、尾道商業会議所記念館 2階議場 西谷智博
GaN系半導体フォトカソードを用いた光電子ビームの実用とスタートアップ企業による事業化 一般社団法人ＧａＮコンソーシアム：光を用いた新たな応用展開、2020年12月17日、オンライン開催 西谷智博
半導体フォトカソード電子源を特徴とする電子ビーム検査技術, Innovative inspection technology opened by photo electron beam from III-V semiconductors 応用物理学会2-4回合同極限ナノ造形・構造物性研究会、2020年10月26- 27日、オンライン開催 Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, Masaaki Araidai, Hiroshi Amano, Masao Tabuchi, Akihiro Narita, Hidehiro Yasuda, Fumitaro Ishikawa, Takashi Meguro, Atsushi Koizumi, Daiki Sato, Anna Honda

関連書籍等

(1) EB技術を利用した材料創製と応用展開 EB Irradiation Technology for Material Creation and its Application
第8章　多彩な電子ビームを発生する半導体フォトカソード電子銃の開発 出版社: シーエムシー　監修： 鷲尾方一、前川康成、pp. 75-87　発行日： 2016年7月25日 体裁： B5判、248ページ　ISBNコード： 978-4-7813-1172-2　価格（税込）： 71,280 円 西谷智博（共著）
(2) -総説- 電子ビーム源GaAs半導体型フォトカソードの開発 MRS-J NEWS, Vol. 20, No. 2, pp. 4-6 (2008) 西谷智博