関連論文

Recovery of quantum efficiency on Cs/O-activated GaN and GaAs photocathodes by thermal annealing in vacuumDaiki Sato, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, and Hiroshi AmanoJournal of Vacuum Science & Technology B 38, 012603 (2020); doi: 10.1116/1.5120417
Optimization of InGaN thickness for high-quantum-efficiency Cs/O activated InGaN photocathodeDaiki Sato, Anna Honda, Atsushi Koizumi, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, Hiroshi AmanoMicroelectronic Engineering 223 (2020) 111229; doi: 10.1016/j.mee.2020.111229
半導体フォトカソードの産業技術への展開を目指した研究開発と事業化, Development of semiconductor photocathode for industrial electron beam technology and its technology commercialization西谷智博会誌「放射線化学」第103号, pp.21-27 (2017)(ISSN 2188-0115), Journal of Japanese Society of Radiation Chemistry
Observation of relaxation time of surface charge limit for InGaN NEA photocathodesDaiki Sato, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda and Hiroshi AmanoJapanese Journal of Applied Physics, Volume 55, 05FH05 (2016)
Photoemission lifetime of a negative electron affinity gallium nitride photocathodeTomohiro Nishitani, Masao Tabuchi, Hiroshi Amano, Takuya Maekawa, Makoto Kuwahara, and Takashi MeguroJournal of Vacuum Science & Technology B 32, 06F901 (5 pages) (2014); doi: 10.1116/1.4901566

学会・国際会議等発表・招待講演

GaN系半導体フォトカソードを用いた光電子ビームの実用とスタートアップ企業による事業化一般社団法人GaNコンソーシアム:光を用いた新たな応用展開、オンライン開催、2020年12月17西谷智博
半導体フォトカソード電子源を特徴とする電子ビーム検査技術, Innovative inspection technology opened by photo electron beam from III-V semiconductors応用物理学会2-4回合同極限ナノ造形・構造物性研究会、オンライン開催、2020年10月26- 27日Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, Masaaki Araidai, Hiroshi Amano, Masao Tabuchi, Akihiro Narita, Hidehiro Yasuda, Fumitaro Ishikawa, Takashi Meguro, Atsushi Koizumi, Daiki Sato, Anna Honda
Electron Beam Technology Innovation by Semiconductor Photocathodes and its Commercialization第39 回電子材料シンポジウム、オンライン開催、2020年10月7日-10月9日Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, Masaaki Araidai, Hiroshi Amano, Masao Tabuchi, Akihiro Narita, Hidehiro Yasuda, Fumitaro Ishikawa, Takashi Meguro, Atsushi Koizumi, Daiki Sato, Anna Honda
半導体材料・機能性表面・光励起・ビーム物理の技術融合が実現する電子ビームイノベーション電子情報通信学会 システムナノ技術に関する特別研究専門委員会(SNT)、第3回研究会「エキゾチックな分野間融合による新たな萌芽へ」2020年1月31日、東京理科大学 森戸記念館西谷智博
電子ビームの技術刷新で挑む損傷敏感試料・動態・反応の微細領域観測第238回 有機エレクトロニクス材料研究会「有機半導体、タンパク質の電子状態を動的に捉える」2020年 1月22日、名古屋大学東山キャンパス西谷智博

関連書籍等

(1)EB技術を利用した材料創製と応用展開 EB Irradiation Technology for Material Creation and its Application
第8章 多彩な電子ビームを発生する半導体フォトカソード電子銃の開発
出版社: シーエムシー 監修: 鷲尾方一、前川康成、pp. 75-87 発行日: 2016年7月25日体裁: B5判、248ページ ISBNコード: 978-4-7813-1172-2 価格(税込): 71,280 円西谷智博(共著)
(2)-総説- 電子ビーム源GaAs半導体型フォトカソードの開発MRS-J NEWS, Vol. 20, No. 2, pp. 4-6 (2008)西谷智博