関連論文

Scanning electron microscope imaging by selective e-beaming using photoelectron beams from semiconductor photocathodes Tomohiro Nishitani, Yuta Arakawa, Shotaro Noda, Atsushi Koizumi, Daiki Sato, Haruka Shikano, Hokuto Iijima, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano Journal of Vacuum Science & Technology B 40, 064203 (2022)
Time response measurement of pulsed electron beam from InGaN photocathode Daiki Sato, Haruka Shikano, Atsushi Koizumi, and Tomohiro Nishitani Journal of Vacuum Science & Technology B 40, 064204 (2022)
Dependence of electron emission current density on excitation power density from Cs/O-activated negative electron affinity InGaN photocathode Atsushi Koizumi, Daiki Sato, Haruka Shikano, Hokuto Iijima, and Tomohiro Nishitani Journal of Vacuum Science & Technology B 40, 062202 (2022)
Multiple electron beam generation from InGaN photocathode Daiki Sato, Haruka Shikano, Atsushi Koizumi, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano Journal of Vacuum Science & Technology B 39, 062209 (2021); doi: 10.1116/6.0001272
Recovery of quantum efficiency on Cs/O-activated GaN and GaAs photocathodes by thermal annealing in vacuum Daiki Sato, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano Journal of Vacuum Science & Technology B 38, 012603 (2020); doi: 10.1116/1.5120417
Optimization of InGaN thickness for high-quantum-efficiency Cs/O activated InGaN photocathode Daiki Sato, Anna Honda, Atsushi Koizumi, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, Hiroshi Amano Microelectronic Engineering 223 (2020) 111229; doi: 10.1016/j.mee.2020.111229
半導体フォトカソードの産業技術への展開を目指した研究開発と事業化, Development of semiconductor photocathode for industrial electron beam technology and its technology commercialization 西谷智博 会誌「放射線化学」第103号, pp.21-27 (2017)(ISSN 2188-0115), Journal of Japanese Society of Radiation Chemistry
Observation of relaxation time of surface charge limit for InGaN NEA photocathodes Daiki Sato, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda and Hiroshi Amano Japanese Journal of Applied Physics, Volume 55, 05FH05 (2016)

学会・国際会議等発表・招待講演

Selective scanning electron microscope by photo electron beam from GaN semiconductor photocathode 第16回電子線応用技術研究会・先端計測技術研究会(EBAT・AM)、2022年3月16日、オンライン開催 西谷智博
負電子親和力表面の半導体フォトカソードで挑む電子ビーム技術革新 電子デバイス研究会(ED)、2021年12月9日、オンライン開催 西谷智博
Multiple Electron-Beam Generation from InGaN Photocathode EIPBN2021,June1-4,2021,Online Daiki Sato
高輝度パルス電子源の開発 日本顕微鏡学会関西支部特別講演会、2021年3月5日、尾道商業会議所記念館 2階議場 西谷智博
GaN系半導体フォトカソードを用いた光電子ビームの実用とスタートアップ企業による事業化 一般社団法人GaNコンソーシアム:光を用いた新たな応用展開、2020年12月17日、オンライン開催 西谷智博
半導体フォトカソード電子源を特徴とする電子ビーム検査技術, Innovative inspection technology opened by photo electron beam from III-V semiconductors 応用物理学会2-4回合同極限ナノ造形・構造物性研究会、2020年10月26- 27日、オンライン開催 Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, Masaaki Araidai, Hiroshi Amano, Masao Tabuchi, Akihiro Narita, Hidehiro Yasuda, Fumitaro Ishikawa, Takashi Meguro, Atsushi Koizumi, Daiki Sato, Anna Honda

関連書籍等

(1) EB技術を利用した材料創製と応用展開 EB Irradiation Technology for Material Creation and its Application
第8章 多彩な電子ビームを発生する半導体フォトカソード電子銃の開発
出版社: シーエムシー 監修: 鷲尾方一、前川康成、pp. 75-87 発行日: 2016年7月25日 体裁: B5判、248ページ ISBNコード: 978-4-7813-1172-2 価格(税込): 71,280 円 西谷智博(共著)
(2) -総説- 電子ビーム源GaAs半導体型フォトカソードの開発 MRS-J NEWS, Vol. 20, No. 2, pp. 4-6 (2008) 西谷智博