当社は、米国で開催される国際会議「SPIE Advanced Lithography + Patterning 2026」において、
当社技術に関する最新の研究成果4件（口頭発表１件、ポスター発表３件）を発表します。

本会議は先端半導体プロセス、リソグラフィ、検査・計測技術を中心とした世界有数の国際会議であり、
当社は本発表を通じてフォトカソードSEMを基盤とする電子ビーム技術の新たな可能性を国際的に発信します。

■ 会議概要
•会議名：SPIE Advanced Lithography + Patterning 2026
•開催期間：2026年2月22日（日）～2月26日（木）
•開催場所：米国 カリフォルニア州 サンノゼ

■ 発表内容
【口頭発表（1件）】
Photocathode SEM with pixel current modulation for improved imaging of charge-sensitive materials and structures
発表者：Tomohiro Nishitani（Photo electron Soul Inc.）

【ポスター発表（3件）】
Non-contact ON/OFF switching of nMOS and pMOS transistors by voltage-contrast photocathode SEM
発表者：Daiki Sato（Photo electron Soul Inc.）

Characterization of MOSFET gate threshold behavior under varying drain electron conditions
発表者：Daiki Sato（Photo electron Soul Inc.）

Charge suppression in SEM imaging using pulsed electron beam modulation from an NEA-InGaN semiconductor photocathode
発表者：Mitsunobu Yasuda（Toray Research Center, Inc.）
株式会社東レリサーチセンター・当社との共同成果

本発表では非接触電気的動作評価や帯電抑制などSEMイメージングの高度化といった観点から、
最先端の半導体デバイスの検査・計測に関する重要な知見を提供します。
発表日時およびセッションの詳細はSPIE公式プログラムをご参照ください。