当社と名古屋大学の天野・本田研究室が共同開発を進めるGaN 半導体材料を使用したフォトカソード（GaN フォトカソード）からの光電子ビーム技術を、世界有数のフラッシュメモリメーカーであるキオクシアグループのキオクシア岩手株式会社で導入評価を2025 年9 月下旬に開始することを本日発表しました。今後、実際の工程における欠陥検出や原因特定等の歩留まり向上に対する本技術導入効果を詳細に検証していく方針です。

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